555
73.72р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650VGate Charge(Qg)
44nC@15VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
44nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.8V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
892pF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃
Package
TO-220F
Pd - Power Dissipation
41W
Reverse Recovery Time(trr)
58ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
Switching Energy(Eoff)
260uJ
Td(off)
99ns
Td(on)
11ns
Turn-On Energy (Eon)
210uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
