Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
MIW40N65RA-BP-HXY
Артикул:
MIW40N65RA-BP-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
460.11р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
57nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.52nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
250W
Reverse Recovery Time(trr)
56ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
430uJ
Td(off)
136ns
Td(on)
26ns
Turn-On Energy (Eon)
900uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET MIW40N65RA-BP-HXY
MIW40N65RA-BP-HXY
30
460.11р.
HXY MOSFET IXYH75N65C3D1-HXY
IXYH75N65C3D1-HXY
30
876.54р.
HXY MOSFET GWA40MS120DF4AG-HXY
GWA40MS120DF4AG-HXY
10
635.61р.
ORIENTAL SEMI SFS04R038GF
SFS04R038GF
2460
28.24р.
HXY MOSFET SPT50N65F1A1T8TL-HXY
SPT50N65F1A1T8TL-HXY
30
398.65р.