Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
0.68uC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.2V@4mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
IGBT Module
Input Capacitance(Cies)
8.8nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Pd - Power Dissipation
785W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
200A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
0.27nF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Switching Energy(Eoff)
6.7mJ
Td(off)
232ns
Td(on)
129ns
Turn-On Energy (Eon)
6.2mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
