2
10286.96р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVGate Charge(Qg)
7.4uCCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
7.4uC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.2V@23mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
128nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Package
E3
Pd - Power Dissipation
3.95kW
Pulsed Current- Forward(Ifm)
1200A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
1.47nF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
6
Switching Energy(Eoff)
35mJ
Td(off)
625ns
Td(on)
435ns
Turn-On Energy (Eon)
55mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
