Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW30N60T
Артикул:
IGW30N60T
Производитель:
Infineon
45
358.58р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
167nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@0.43mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
1.63nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
108pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
187W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
50pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
770uJ
Td(off)
254ns
Td(on)
23ns
Turn-On Energy (Eon)
690uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IGW30N60T
IGW30N60T
45
358.58р.
Infineon IPP015N04N G
IPP015N04N G
2
391.27р.
DIODES DMN3008SFG-7
DMN3008SFG-7
3610
42.39р.
LRC S-LBAV99LT1G
S-LBAV99LT1G
10800
1.61р.
LRC SM2100AF
SM2100AF
1130
6.03р.