Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IXYH120N65C3-HXY
Артикул:
IXYH120N65C3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
1402.43р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
156nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
156nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4V@0.88mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3.452nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
223pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
429W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
300A
Reverse Recovery Time(trr)
123ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
26pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.65mJ
Td(off)
195ns
Td(on)
27ns
Turn-On Energy (Eon)
3.3mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IXYH120N65C3-HXY
IXYH120N65C3-HXY
30
1402.43р.
HXY MOSFET IXYH40N120C3-HXY
IXYH40N120C3-HXY
28
955.14р.
HXY MOSFET IGW100N60H3-HXY
IGW100N60H3-HXY
10
767.69р.
HXY MOSFET APT35GP120BG-HXY
APT35GP120BG-HXY
30
1396.01р.
HXY MOSFET IXYH120N65B3-HXY
IXYH120N65B3-HXY
30
1402.43р.