Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
29nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Input Capacitance(Cies)
650pF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
40pF
Package
TO-268AA
Pd - Power Dissipation
140W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
22pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Td(off)
190ns
Td(on)
46ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
