Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IRGP4063DPBF-HXY
Артикул:
IRGP4063DPBF-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
40
246.15р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
179nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
179nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.363nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
206pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
300W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
200A
Reverse Recovery Time(trr)
98ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
92pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.14mJ
Td(off)
122ns
Td(on)
24ns
Turn-On Energy (Eon)
1.38mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IRGP4063DPBF-HXY
IRGP4063DPBF-HXY
40
246.15р.
HXY MOSFET FGH75T65SQD-F155-HXY
FGH75T65SQD-F155-HXY
27
461.45р.
LGE SS110FA(SMAF)
SS110FA(SMAF)
2740
2.30р.
XNRUSEMI XR4886S
XR4886S
1510
9.50р.
HXY MOSFET HFFSH10120ADNF155
HFFSH10120ADNF155
58
380.15р.