Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW75N60H3
Артикул:
IKW75N60H3
Производитель:
Infineon
39
497.76р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
470nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@1.2mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
4.62nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
240pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
428W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
150A
Reverse Recovery Time(trr)
190ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
138pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.7mJ
Td(off)
265ns
Td(on)
31ns
Turn-On Energy (Eon)
3mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKW75N60H3
IKW75N60H3
39
497.76р.
YONGYUTAI 1N4007 A7 42MIL
1N4007 A7 42MIL
8120
0.83р.
YONGYUTAI SI2302 2.5A
SI2302 2.5A
250
1.54р.
KUU KWNM4002
KWNM4002
8180
3.35р.
LRC LMUN2231LT1G
LMUN2231LT1G
5060
2.34р.