Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW40T120FKSA1-HXY
Артикул:
IGW40T120FKSA1-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
10
967.24р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
346nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
346nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.3V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.98nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
157pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
441W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
160A
Reverse Recovery Time(trr)
94ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
93pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Td(off)
262ns
Td(on)
25ns
Turn-On Energy (Eon)
1.3mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IGW40T120FKSA1-HXY
IGW40T120FKSA1-HXY
10
967.24р.
HXY MOSFET RGS80TSX2GC11-HXY
RGS80TSX2GC11-HXY
10
773.86р.
HXY MOSFET IRG7PH46U-EP-HXY
IRG7PH46U-EP-HXY
10
746.21р.
HXY MOSFET IXYH55N120C4-HXY
IXYH55N120C4-HXY
28
792.61р.
HXY MOSFET IXXH60N65C4-HXY
IXXH60N65C4-HXY
4
430.21р.