Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW40T120FKSA1
Артикул:
IGW40T120FKSA1
Производитель:
Infineon
2
640.06р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
203nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@1.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through);FS (Field Stop)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
130pF
Package
TO-247-3-1
Pd - Power Dissipation
270W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
110pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
6.5mJ
Td(off)
480ns
Td(on)
48ns
Turn-On Energy (Eon)
6.5mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKW30N60TFKSA1
IKW30N60TFKSA1
7
593.98р.
Infineon IKW15N120H3FKSA1
IKW15N120H3FKSA1
4
666.09р.
Infineon IKW75N65SS5XKSA1
IKW75N65SS5XKSA1
3
1606.80р.
Infineon IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1
829
207.62р.
Infineon IKW20N65ET7XKSA1
IKW20N65ET7XKSA1
30
340.42р.