Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
200nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@4mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
8.3nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Output Capacitance(Coes)
0.29nF
Package
Screw Terminals
Pd - Power Dissipation
680W
Reverse Recovery Time(trr)
110ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
8
Switching Energy(Eoff)
5.62mJ
Td(off)
208ns
Td(on)
118ns
Turn-On Energy (Eon)
2.93mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
