Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW50N65F5
Артикул:
IGW50N65F5
Производитель:
Infineon
120
361.41р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
120nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@0.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
305W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
160uJ
Td(off)
175ns
Td(on)
21ns
Turn-On Energy (Eon)
490uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKP15N65F5
IKP15N65F5
34
186.10р.
Infineon IGW40N60H3
IGW40N60H3
99
384.70р.
Infineon IDW40G65C5
IDW40G65C5
3
1023.21р.
Infineon IDK10G120C5
IDK10G120C5
5
294.10р.
Infineon IDW15E65D2
IDW15E65D2
187
210.06р.