85
205.35р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650VGate Charge(Qg)
162nC@15VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
162nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.8nF@30V,0V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
260W
Reverse Recovery Time(trr)
90ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
600uJ
Td(off)
170ns
Td(on)
60ns
Turn-On Energy (Eon)
2.2mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
