Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKB20N60TATMA1
Артикул:
IKB20N60TATMA1
Производитель:
Infineon
99
175.67р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
120nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@290uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.1nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-263-3
Pd - Power Dissipation
166W
Reverse Recovery Time(trr)
41ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1000
Switching Energy(Eoff)
460uJ
Td(off)
199ns
Td(on)
18ns
Turn-On Energy (Eon)
310uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKB20N60TATMA1
IKB20N60TATMA1
99
175.67р.
HXY MOSFET HPHB32N06LT118
HPHB32N06LT118
48
67.64р.
HXY MOSFET HPMV15UNEAR
HPMV15UNEAR
20
8.18р.
HXY MOSFET HSUD20N1066L
HSUD20N1066L
10
19.48р.
HXY MOSFET HSNN1000L10D
HSNN1000L10D
5
30.49р.