Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
107nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Input Capacitance(Cies)
3.3nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
68pF
Package
TO-247AD
Pd - Power Dissipation
750W
Reverse Recovery Time(trr)
25ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
800uJ
Td(off)
90ns
Td(on)
35ns
Turn-On Energy (Eon)
1.6mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
