Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NGTB20N135IHRWG
Артикул:
NGTB20N135IHRWG
Производитель:
onsemi
20
474.03р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
234nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
5.29nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
124pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
394W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
120A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
100pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
600uJ
Td(off)
245ns

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
onsemi MMBT2907AM3T5G
MMBT2907AM3T5G
40
4.45р.
onsemi MJW3281AG
MJW3281AG
40
511.00р.
WeEn MAC97A8,412
MAC97A8,412
40
22.94р.
WeEn BTA201-800ER,116
BTA201-800ER,116
575
57.86р.
WeEn NXPSC20650W6Q
NXPSC20650W6Q
417
470.60р.