Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
62nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@0.3mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Input Capacitance(Cies)
551pF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
40pF
Package
TO-263-3
Pd - Power Dissipation
110W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
17pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1000
Switching Energy(Eoff)
270uJ
Td(on)
12ns
Turn-On Energy (Eon)
160uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
