Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW40N120H3
Артикул:
IGW40N120H3
Производитель:
Infineon
29
618.14р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
185nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
2.33nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
150pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
483W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
130pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.23mJ
Td(off)
290ns
Td(on)
30ns
Turn-On Energy (Eon)
1.93mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IHW30N65R5
IHW30N65R5
152
251.18р.
Infineon IGW25T120
IGW25T120
153
395.11р.
Infineon IGT60R070D1
IGT60R070D1
15
1269.36р.
Infineon IDFW60C65D1
IDFW60C65D1
218
481.06р.
Infineon IDDD10G65C6
IDDD10G65C6
50
263.31р.