Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW25T120
Артикул:
IGW25T120
Производитель:
Infineon
153
395.11р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
155nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Output Capacitance(Coes)
96pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
190W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
82pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
2.2mJ
Td(off)
560ns
Td(on)
50ns
Turn-On Energy (Eon)
2mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IGT60R070D1
IGT60R070D1
15
1269.36р.
Infineon IDFW60C65D1
IDFW60C65D1
218
481.06р.
Infineon IDDD10G65C6
IDDD10G65C6
50
263.31р.
Infineon IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L009
10
285.19р.
Infineon IAUC100N08S5N031
IAUC100N08S5N031
90
217.93р.