Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
100nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6V@90uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃
Package
TO-220AB
Pd - Power Dissipation
298W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
Switching Energy(Eoff)
800uJ
Td(off)
165ns
Td(on)
23ns
Turn-On Energy (Eon)
320uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
