Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
6.7nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.5V@5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
209pF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
11pF
Package
TO-252
Pd - Power Dissipation
69W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
2pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
Switching Energy(Eoff)
94uJ
Td(off)
24.8ns
Td(on)
4.8ns
Turn-On Energy (Eon)
247uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
