4
9125.66р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVGate Charge(Qg)
3750nC@600ACollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
3750nC@600A
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.8V@8mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
IGBT Module
Input Capacitance(Cies)
62.5nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Package
Screw Terminals
Pd - Power Dissipation
2.142kW
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1
Switching Energy(Eoff)
58.5mJ
Td(off)
410ns
Td(on)
120ns
Turn-On Energy (Eon)
17mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
