Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SPT40N120T1B1
Артикул:
SPT40N120T1B1
Производитель:
SPTECH
15
291.84р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
270nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate Charge(Qg)
270nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.1V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
4.4nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
416W
Reverse Recovery Time(trr)
190ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.5mJ
Td(off)
230ns
Td(on)
55ns
Turn-On Energy (Eon)
2.4mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Taiwan Semiconductor GBU406 C2G
GBU406 C2G
5
42.85р.
Taiwan Semiconductor BAV21WS RR
BAV21WS RR
10
4.46р.
Nexperia NX7002BKSX
NX7002BKSX
1415
9.10р.
Nexperia BUK7K17-60EX
BUK7K17-60EX
552
100.46р.
Nexperia BUK7Y65-100EX
BUK7Y65-100EX
6
73.69р.