Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKW50N65ES5
Артикул:
IKW50N65ES5
Производитель:
Infineon
2517
236.60р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@0.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3.1nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
88pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
274W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
200A
Reverse Recovery Time(trr)
70ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
12pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
550uJ
Td(off)
127ns
Td(on)
20ns
Turn-On Energy (Eon)
1.23mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
XDS TX50N06
TX50N06
4740
24.74р.
DIODES ZHB6718TA
ZHB6718TA
213
137.74р.
DIODES DMP6110SSS-13
DMP6110SSS-13
965
37.65р.
Infineon IPI045N10N3 G
IPI045N10N3 G
2
515.42р.
DIODES SBR8A60P5-13
SBR8A60P5-13
180
38.60р.