8
6035.06р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVGate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6V@50mACollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6V@50mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
IGBT Module
Input Capacitance(Cies)
4.2nF
Minimum
1
Multiple
1
Package
Through Hole,122x62mm
Pd - Power Dissipation
280W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
360A
Reverse Recovery Time(trr)
350ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Td(off)
530ns
Td(on)
390ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
