0
3713.39р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650VCurrent - Collector(Ic)
210ACollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Current - Collector(Ic)
210A
ECCN
EAR99
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.35V@15V,110A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Input Capacitance(Cies)
3.69nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Package
SOT-227B
Pd - Power Dissipation
750W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
