6
12612.23р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVCurrent - Collector(Ic)
700ACollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Current - Collector(Ic)
700A
ECCN
EAR99
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@24mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
IGBT Module
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+125℃
Pd - Power Dissipation
3.9kW
Pulsed Current- Forward(Ifm)
1200A
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Switching Energy(Eoff)
46mJ
Td(off)
530ns
Td(on)
100ns
Turn-On Energy (Eon)
22mJ
Vce Saturation(VCE(sat))
3.85V@600A,15V
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
