Код товара:
FF300R08W2P2B11ABOMA1Артикул:
FF300R08W2P2B11ABOMA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
35220
12027.16р.
Td(off)
800nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 200A 750V IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF300R08W2P2B11ABOMA1 (артикул FF300R08W2P2B11ABOMA1): Даташит FF300R08W2P2B11ABOMA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
800ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
240ns
Current - Collector(Ic)
200A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
750V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
200pF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
1.18V@15V,200A
Gate Charge(Qg)
2.9uC@400V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.18V
Switching Energy(Eoff)
11.5mJ
Turn-On Energy (Eon)
7.6mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
53nF@50V
Output Capacitance(Coes)
700pF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
15
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
