Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
1.95V@15V,300A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
19nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Pd - Power Dissipation
940W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
