Код товара:
FF225R65T3E3P3BPMA1Артикул:
FF225R65T3E3P3BPMA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
7610
14113.05р.
Td(off)
6.4usPd - Power Dissipation
1000kW1000kW 225A 5.9kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF225R65T3E3P3BPMA1 (артикул FF225R65T3E3P3BPMA1): Даташит FF225R65T3E3P3BPMA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
6.4us
Pd - Power Dissipation
1000kW
Td(on)
240ns
Current - Collector(Ic)
225A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
5.9kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
1nF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.4V@15V,225A
Gate Charge(Qg)
10.5uC
Vce Saturation(VCE(sat))
3.7V
Switching Energy(Eoff)
1.17J
Turn-On Energy (Eon)
1.71J
Operating Temperature
-50℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
65.6nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
