Код товара:
FF225R17ME7B11BPSA1Артикул:
FF225R17ME7B11BPSA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
57223
24913.44р.
Td(off)
467nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 225A 1.7kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF225R17ME7B11BPSA1 (артикул FF225R17ME7B11BPSA1): Даташит FF225R17ME7B11BPSA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
467ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
110ns
Current - Collector(Ic)
225A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
80pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
1.85V@15V,225A
Gate Charge(Qg)
2.1uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.7V
Switching Energy(Eoff)
37.3mJ
Turn-On Energy (Eon)
28.2mJ
Operating Temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
22.9nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
