Код товара:
FF225R17ME4PB11Артикул:
FF225R17ME4PB11Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF225R17ME4PB11 PDF
75209
23180.31р.
Td(off)
880nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 450A 1.7kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF225R17ME4PB11 (артикул FF225R17ME4PB11): Даташит FF225R17ME4PB11 PDF.
Характеристики
Td(off)
880ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
260ns
Current - Collector(Ic)
450A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
600pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.3V@15V,225A
Gate Charge(Qg)
2.35uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
2.45V
Switching Energy(Eoff)
83.5mJ
Turn-On Energy (Eon)
72mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)
18.5nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
6
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
