Код товара:
FF150R12MS4GАртикул:
FF150R12MS4GПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF150R12MS4G PDF
25354
11859.06р.
Pd - Power Dissipation
1.25kWCurrent - Collector(Ic)
150A1.25kW 150A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF150R12MS4G (артикул FF150R12MS4G): Даташит FF150R12MS4G PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.25kW
Current - Collector(Ic)
150A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate Charge(Qg)
1.6uC@15V
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
11nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
