Код товара:
FF150R12ME3GАртикул:
FF150R12ME3GПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF150R12ME3G PDF
4938
23653.63р.
Td(off)
550nsPd - Power Dissipation
695W695W 200A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF150R12ME3G (артикул FF150R12ME3G): Даташит FF150R12ME3G PDF.
Характеристики
Td(off)
550ns
Pd - Power Dissipation
695W
Td(on)
250ns
Current - Collector(Ic)
200A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.15V@15V,150A
Gate Charge(Qg)
1.4uC
Vce Saturation(VCE(sat))
1.7V
Switching Energy(Eoff)
16mJ
Turn-On Energy (Eon)
8mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
10.5nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
