Код товара:
FF1200R17KE3Артикул:
FF1200R17KE3Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF1200R17KE3 PDF
53213
82043.75р.
Td(off)
1.8usPd - Power Dissipation
595kW595kW 1.2kA 1.7kV IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF1200R17KE3 (артикул FF1200R17KE3): Даташит FF1200R17KE3 PDF.
Характеристики
Td(off)
1.8us
Pd - Power Dissipation
595kW
Td(on)
800ns
Current - Collector(Ic)
1.2kA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.7kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
3.5nF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6.4V
Gate Charge(Qg)
14uC@30V
Vce Saturation(VCE(sat))
2.45V
Switching Energy(Eoff)
445mJ
Turn-On Energy (Eon)
350mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
110nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
