Код товара:
FF1200R12IE5PАртикул:
FF1200R12IE5PПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF1200R12IE5P PDF
58755
56980.50р.
Td(off)
480ns;520ns;550nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 2.4kA 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF1200R12IE5P (артикул FF1200R12IE5P): Даташит FF1200R12IE5P PDF.
Характеристики
Td(off)
480ns;520ns;550ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
200ns;230ns;250ns
Current - Collector(Ic)
2.4kA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
2.6nF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.25V
Gate Charge(Qg)
5.75uC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.7V;2V;2.15V
Switching Energy(Eoff)
130mJ;160mJ;180mJ
Turn-On Energy (Eon)
80mJ;120mJ;16mJ
Operating Temperature
-40℃~+175℃
Input Capacitance(Cies)
65.5nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
