Код товара:
BSM100GD120DLCАртикул:
BSM100GD120DLCПроизводитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит BSM100GD120DLC PDF
2462
33896.03р.
Td(off)
350ns;400nsPd - Power Dissipation
650W650W 100A 1.2kV IGBT Module IGBT Modules
Официальный технический даташит Infineon BSM100GD120DLC (артикул BSM100GD120DLC): Даташит BSM100GD120DLC PDF.
Характеристики
Td(off)
350ns;400ns
Pd - Power Dissipation
650W
Td(on)
60ns
Current - Collector(Ic)
100A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
420pF
IGBT Type
IGBT Module
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V;6.5V
Gate Charge(Qg)
1.1uC
Vce Saturation(VCE(sat))
2.1V;2.4V
Switching Energy(Eoff)
12mJ
Turn-On Energy (Eon)
10mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
6.5nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
