Код товара:
BSM100GB120DN2Артикул:
BSM100GB120DN2Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит BSM100GB120DN2 PDF
32923
18917.56р.
Pd - Power Dissipation
800WTd(off)
400ns800W 150A 1.2kV IGBT Modules
Официальный технический даташит Infineon BSM100GB120DN2 (артикул BSM100GB120DN2): Даташит BSM100GB120DN2 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
800W
Td(off)
400ns
Td(on)
130ns
Current - Collector(Ic)
150A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V
Vce Saturation(VCE(sat))
2.5V
Reverse Recovery Time(trr)
300ns
Input Capacitance(Cies)
6.5nF
Output Capacitance(Coes)
1nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
