Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
FP200R12N3T7
Артикул:
FP200R12N3T7
Производитель:
Infineon
4
11783.96р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Current - Collector(Ic)
200A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Current - Collector(Ic)
200A
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.15V@4.6mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
40.3nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
Through Hole,122x62.5mm
Pulsed Current- Forward(Ifm)
400A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
0.14nF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Switching Energy(Eoff)
12.9mJ
Td(off)
351ns
Td(on)
203ns
Turn-On Energy (Eon)
25.1mJ
Vce Saturation(VCE(sat))
1.8V@200A,15V

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon FP200R12N3T7
FP200R12N3T7
4
11783.96р.
orisilicon OSM4N90SJ
OSM4N90SJ
532
104.45р.
orisilicon OSM7N65A
OSM7N65A
985
45.01р.
orisilicon OSM45N10
OSM45N10
470
54.30р.
FUXINSEMI X0405M
X0405M
2755
10.26р.