Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
UF4C120070K4S-HXY
Артикул:
UF4C120070K4S-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
44
820.10р.
Ciss-Input Capacitance
1.39nF
Current - Continuous Drain(Id)
32A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.39nF
Current - Continuous Drain(Id)
32A
Drain to Source Voltage
1.2kV
Gate Charge(Qg)
53nC
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.6V
Minimum
1
Multiple
1
Operating Temperature -
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
58pF
Package
TO-247-4L
Pd - Power Dissipation
136W
RDS(on)
90mΩ
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
2pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET UF4C120070K4S-HXY
UF4C120070K4S-HXY
44
820.10р.
HXY MOSFET SCT3080KRC14-HXY
SCT3080KRC14-HXY
16
454.98р.
HXY MOSFET SCT3017ALHRC11-HXY
SCT3017ALHRC11-HXY
30
2513.40р.
HXY MOSFET STY139N65M5-HXY
STY139N65M5-HXY
34
1309.30р.
HXY MOSFET IPL60R180P6AUMA1-HXY
IPL60R180P6AUMA1-HXY
26
234.55р.