Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SISS30DN-T1-GE3
Артикул:
SISS30DN-T1-GE3
Производитель:
VISHAY
5
83.28р.
Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.666nF
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.666nF
Current - Continuous Drain(Id)
54.7A
Drain to Source Voltage
80V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
19.6nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.8V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Manufacturer
VISHAY
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
209pF
Package
PowerPAK1212-8S
Pd - Power Dissipation
4.8W
RDS(on)
8.25mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
26pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VISHAY SISS30DN-T1-GE3
SISS30DN-T1-GE3
5
83.28р.
VISHAY SIHFR9220-GE3
SIHFR9220-GE3
100
92.38р.
VISHAY SIHG47N60AEF-GE3
SIHG47N60AEF-GE3
2
1344.15р.
AOS AOT266L
AOT266L
5
357.02р.
DIODES SDT8A60VP5-13
SDT8A60VP5-13
55
53.67р.