Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SISS26LDN-T1-GE3
Артикул:
SISS26LDN-T1-GE3
Производитель:
VISHAY
22
155.47р.
Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.98nF
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.98nF
Current - Continuous Drain(Id)
81.2A
Drain to Source Voltage
60V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
15.2nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Manufacturer
VISHAY
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
PowerPAK1212-8S
Pd - Power Dissipation
36W
RDS(on)
4.3mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
24pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
3000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VISHAY SISS26LDN-T1-GE3
SISS26LDN-T1-GE3
22
155.47р.
VISHAY SQJA62EP-T1_GE3
SQJA62EP-T1_GE3
9
119.08р.
DIODES SBRT15U50SP5-7
SBRT15U50SP5-7
37
122.91р.
ROHM SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11
3
1592.91р.
DIODES SDM1100LP-7
SDM1100LP-7
1895
18.54р.