Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SIS429DNT-T1-GE3-HXY
Артикул:
SIS429DNT-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
265
28.28р.
Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
35A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.33nF
Current - Continuous Drain(Id)
35A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
22nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.6V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
183pF
Package
DFN-8L(3x3)
Pd - Power Dissipation
15W
RDS(on)
12mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
156pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SIS429DNT-T1-GE3-HXY
SIS429DNT-T1-GE3-HXY
265
28.28р.
HXY MOSFET RJK0355DSP-HXY
RJK0355DSP-HXY
196
102.95р.
HXY MOSFET NVMFS5C670NLAFT1G-HXY
NVMFS5C670NLAFT1G-HXY
99
124.77р.
HXY MOSFET NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
NVMFS5C670NLWFAFT3G-HXY
99
132.78р.
HXY MOSFET NVMFS5H663NLWFT1G-HXY
NVMFS5H663NLWFT1G-HXY
98
94.62р.