Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SIS412DN-T1-GE3-HXY
Артикул:
SIS412DN-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
60
14.00р.
Ciss-Input Capacitance
490pF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
490pF
Current - Continuous Drain(Id)
20A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
10nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
5
Multiple
5
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
79pF
Package
DFN-8L(3x3)
Pd - Power Dissipation
5.5W
RDS(on)
20mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
61pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SIS412DN-T1-GE3-HXY
SIS412DN-T1-GE3-HXY
60
14.00р.
HXY MOSFET DMG7408SFG-HXY
DMG7408SFG-HXY
5
17.95р.
HXY MOSFET RFD14N05LSM-HXY
RFD14N05LSM-HXY
35
23.54р.
HXY MOSFET NTD3055L170-HXY
NTD3055L170-HXY
170
24.75р.
HXY MOSFET AUIRFR024NTRL-HXY
AUIRFR024NTRL-HXY
38
95.57р.