Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SIRA01DP-T1-GE3-HXY
Артикул:
SIRA01DP-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
443
100.06р.
Ciss-Input Capacitance
5.07nF
Current - Continuous Drain(Id)
90A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
5.07nF
Current - Continuous Drain(Id)
90A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Charge(Qg)
146nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
DFN-8L(5x6)
Pd - Power Dissipation
60W
RDS(on)
4.5mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
580pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SIRA01DP-T1-GE3-HXY
SIRA01DP-T1-GE3-HXY
443
100.06р.
Bestirpower BCM65S10D3
BCM65S10D3
153
60.14р.
GOODWORK MBRD10100
MBRD10100
2900
14.11р.
MDD(Microdiode Semiconductor) MUR2060DCT
MUR2060DCT
187
53.95р.
MDD(Microdiode Semiconductor) MUR1040DCT
MUR1040DCT
45
27.66р.