Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SIR106DP-T1-RE3-HXY
Артикул:
SIR106DP-T1-RE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
2
102.62р.
Ciss-Input Capacitance
2.944nF
Current - Continuous Drain(Id)
75A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
2.944nF
Current - Continuous Drain(Id)
75A
Drain to Source Voltage
100V
Gate Charge(Qg)
39.4nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
736pF
Package
DFN-8L(5x6)
Pd - Power Dissipation
97W
RDS(on)
7.5mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
2.04pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SIR106DP-T1-RE3-HXY
SIR106DP-T1-RE3-HXY
2
102.62р.
HXY MOSFET DMG1016UDW-7-HXY
DMG1016UDW-7-HXY
130
5.94р.
HXY MOSFET NTMFS6B05NT3G-HXY
NTMFS6B05NT3G-HXY
98
138.61р.
HXY MOSFET DMTH10H010LPS-13-HXY
DMTH10H010LPS-13-HXY
98
99.11р.
HXY MOSFET IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY
IAUC90N10S5N062ATMA1-HXY
59
138.44р.