Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI7884BDP-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI7884BDP-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
197
68.64р.
Ciss-Input Capacitance
6nF
Current - Continuous Drain(Id)
55A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
6nF
Current - Continuous Drain(Id)
55A
Drain to Source Voltage
40V
Gate Charge(Qg)
19.7nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.8V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
1.509nF
Package
DFN-8L(5x6)
RDS(on)
6.5mΩ@10V;9mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
129pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI7884BDP-T1-GE3-HXY
SI7884BDP-T1-GE3-HXY
197
68.64р.
HXY MOSFET AOSP32314
AOSP32314
190
22.21р.
HXY MOSFET RD3P100SNFRATL-HXY
RD3P100SNFRATL-HXY
185
33.52р.
HXY MOSFET RJK0354DSP-HXY
RJK0354DSP-HXY
180
37.16р.
HXY MOSFET DMN3053L-7-HXY
DMN3053L-7-HXY
270
7.64р.