Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI7414DN-T1-E3-HXY
Артикул:
SI7414DN-T1-E3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
48
102.29р.
Ciss-Input Capacitance
1.06nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
1.06nF
Current - Continuous Drain(Id)
30A
Drain to Source Voltage
60V
Gate Charge(Qg)
26nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Package
DFN3X3-8L
Pd - Power Dissipation
33W
RDS(on)
30mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
54pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI7414DN-T1-E3-HXY
SI7414DN-T1-E3-HXY
48
102.29р.
HXY MOSFET NVTFS4C13N-HXY
NVTFS4C13N-HXY
40
32.57р.
HXY MOSFET CSD16411Q3-HXY
CSD16411Q3-HXY
95
33.24р.
HXY MOSFET SM32314D1RL-HXY
SM32314D1RL-HXY
50
23.32р.
HXY MOSFET CSD17579Q3A-HXY
CSD17579Q3A-HXY
5
19.55р.