Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
SI7139DP-T1-GE3-HXY
Артикул:
SI7139DP-T1-GE3-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
24
59.64р.
Ciss-Input Capacitance
4.32nF
Current - Continuous Drain(Id)
70A
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Ciss-Input Capacitance
4.32nF
Current - Continuous Drain(Id)
70A
Drain to Source Voltage
30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 P-Channel
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)
529pF
Package
DFN-8(5x6)
Pd - Power Dissipation
31.2W
RDS(on)
8.8mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
487pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
5000
type
P-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET SI7139DP-T1-GE3-HXY
SI7139DP-T1-GE3-HXY
24
59.64р.
HXY MOSFET SI7423DN-T1-E3-HXY
SI7423DN-T1-E3-HXY
171
54.81р.
HXY MOSFET AON7403-HXY
AON7403-HXY
235
21.69р.
HXY MOSFET IRF100S201-HXY
IRF100S201-HXY
365
135.49р.
HXY MOSFET SI7121ADN-T1-GE3-HXY
SI7121ADN-T1-GE3-HXY
20
34.01р.